GaN と LDMOS の干渉効果は一貫していません。主な違いは、電力付加効率、線形性、周波数特性、スプリアス抑制機能の違いに由来しており、その結果、ドローン対策などの無線周波数干渉シナリオにおけるシナリオ適応性に大きな違いが生じます。-
典型的な干渉シナリオと適応に関する推奨事項
ドローン対策（マルチ-バンド、高-周波数、高-}）
推奨される GaN: 広帯域カバレージ (2.4G/5.8G/衛星ナビゲーション)、高効率による連続干渉時間の延長、DPD との最適化された直線性により、ポータブル/車載デバイスに適しています。-
セカンダリ LDMOS: 2.4G などの低周波数帯域でよりクリーンな狭帯域干渉を提供し、固定サイトの導入に適しており、コストも低く抑えられます。{2}
通信抑制（狭帯域、低スプリアス放射）
推奨される LDMOS: 直線性の利点により、隣接チャネルの干渉が軽減され、監視および位置特定されるリスクが軽減され、高いコンプライアンス要件が必要なシナリオに適しています。
コスト重視/低-～-電力
推奨される LDMOS: 成熟したテクノロジー、コストが 30%{2}}50% 低く、メンテナンスが簡単で、低電力から中電力の干渉ノードの大量導入に適しています。-
計算例（干渉効果の差を量子化）
入力電力が 100W、PAE: GaN 65%、LDMOS 55% であると仮定すると、次のようになります。
GaN 出力電力: 100W ÷ (1-65%) × 65% ≈ 185.7W
LDMOS 出力電力: 100W ÷ (1-55%) × 55% ≈ 122.2W
結論: 同じ入力の下では、GaN は約 52% 高い干渉電力とより広いカバーエリアを持っています。
実装に関する考慮事項
GaN システム: DPD 線形化、厳密な電源投入タイミング制御、効率的な熱管理が不可欠です。-そうしないと、スプリアス/信頼性の問題が干渉の有効性に簡単に影響を与える可能性があります。
LDMOS システム: ハード圧縮特性を利用することで、線形化設計が簡素化され、低周波数の最適化に重点が置かれ、コストと放熱が制御され、大規模な導入に適しています。-